게르마늄 전구체, 이를 이용하여 형성된 gst 박막,상기 박막의 제조 방법 및 상변화 메모리 소자

A Ge precursor, a thin layer prepared by using the Ge precursor, a method for preparing the thin layer and a phase-change memory device

  • Inventors:
  • Assignees: 삼성전자주식회사
  • Publication Date: September 01, 2006
  • Publication Number: KR-100618879-B1

Abstract

본 발명은 게르마늄(Ge), 질소 및 실리콘을 함유한 저온 증착용 게르마늄 전구체, 이를 이용하여 형성된 질소 및 실리콘으로 도핑된 GST 박막, 상기 박막의 제조 방법 및 상변화 메모리 소자에 관한 것이다. 본 발명을 따르는 저온 증착용 게르마늄 전구체는 질소 및 실리콘을 함유하고 있는 바, 박막, 보다 구체적으로는 질소 및 실리콘으로 도핑된 GST 박막 형성시 저온 증착이 가능하다는 장점을 갖는다. 특히, 상기 저온 증착시, 수소 플라즈마를 이용할 수 있다. 상기 저온 증착용 게르마늄 전구체를 이용하여 형성된 질소 및 실리콘으로 도핑된 GST 상변화 막은 감소된 리셋 전류를 가지는 바, 이를 구비한 메모리 소자는 집적화가 가능해지고, 고용량 및 고속 작동이 가능하다.

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Patent Citations (2)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    KR-20040076225-AAugust 31, 2004삼성전자주식회사Phase change memory device and method for fabricating the same

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    Title

Cited By (1)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    KR-101275799-B1June 18, 2013삼성전자주식회사Method of forming phase change layer using Ge precursor for low temperature deposition and method of manufacturing phase change memory device using the same