絶縁体上SiGe(SGOI)基板及び絶縁体上Ge(GOI)基板の製造方法、半導体ウェハ、並びに半導体構造

Abstract

【課題】絶縁体上ゲルマニウム(GOI)基板材料を製造する方法、該方法により製造されるGOI基板材料、及び本発明の少なくともGOI基板材料を含む様々な構造を提供する。 【解決手段】GOI基板材料は、少なくとも1個の基板、基板上に位置する埋め込み絶縁体層、Ge含有層、埋め込み絶縁体層上に位置する、好ましくは純粋Geを含む。本発明のGOI基板材料の場合、Ge含有層は、GOI膜とも呼ばれる。GOI膜は、デバイスが形成される本発明の基板材料の層である。

Claims

Description

Topics

    Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

    Patent Citations (2)

      Publication numberPublication dateAssigneeTitle
      JP-H07153928-AJune 16, 1995Toshiba Corp, 株式会社東芝Semiconductor substrate and its manufacture
      JP-H08148661-AJune 07, 1996Mitsubishi Materials Corp, Mitsubishi Materials Shilicon Corp, Sony Corp, ソニー株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社Soi substrate and its manufacture

    NO-Patent Citations (0)

      Title

    Cited By (1)

      Publication numberPublication dateAssigneeTitle
      CN-102201364-ASeptember 28, 2011北京大学Method for preparing germanium-on-insulator (GeOI) substrate