誘電体dbrミラーを有する面発光半導体レーザおよびその製造方法

Surface-emitting semiconductor laser having dielectric dbr mirror and its manufacturing method

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a forming method of a dielectric DBR mirror comprising an Si composition material that can be applied to a surface emitting laser to which a high temperature/high speed operation is requested for an ultra high-speed computer. SOLUTION: The forming method of the dielectric DBR mirror of the surface emitting laser comprises a process for constituting a resonator comprising an active layer with semiconductor growth, a process for depositing dielectric DBR comprising Si on an end face of the resonator at a first temperature of 150°C to 300°C, and a process for performing heat treatment at a second temperature different from the first temperature. In conditions of heat treatment, the second temperature is 400°C to 550°C, time is three minutes or above, or the second temperature is 550°C to 750°C, and time is 3 minutes to 10 minutes. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
【課題】超高速計算機向けの高温・高速動作が要求される面発光レーザに適用できるSiを構成材料として含む誘電体DBRミラーの形成方法を提供する。 【解決手段】本発明の面発光レーザの誘電体DBRミラーの形成方法は、半導体成長により活性層を含む共振器を構成する工程と、同共振器端面にSiを含む誘電体DBRを温度150℃以上300℃以下の第一温度で成膜する工程と、そのあとに第一温度と異なる第二温度で熱処理を施す工程を有する。熱処理の条件は、第二温度が400℃以上550℃未満、時間が3分以上、もしくは第二温度が550℃以上750℃以下、時間が3分以上10分未満とする。 【選択図】図2

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