相変化メモリ・デバイスのための電極、電極を形成する方法、および相変化メモリ・デバイス

Electrode for phase change memory, method of forming the electrode, and phase change memory device

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrode for a phase change memory, the method of forming the electrode, and the phase change memory. <P>SOLUTION: An electrode 100 for a memory material for the phase change memory comprises: a first layer 110 joined on a memory material 102 containing nitride (AN<SB>x</SB>), where A is one of Ti and W and x is smaller than 1.0; and a second layer 114 joined on the first layer 110 containing nitride (AN<SB>y</SB>), where y is equal to or larger than 1.0. The first layer 110 of this multi-layer electrode is joined on a chalcogenide based memory material 102 such as GST stronger than stochiometric TiN or WN. As a result, interlaminar peeling is prevented. A substrate 116 has a diode 120 internally, such as a diode (lower) electrode 118 for connecting a PNP diode to the (lower) surface 122 of the memory material 102. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
【課題】相変化メモリ・デバイスのための電極、電極を形成する方法、および相変化メモリ・デバイスを提供する。 【解決手段】相変化メモリ・デバイスのメモリ材料のための電極100は、メモリ材料102に接着された第一の層110であって、窒化物(AN x )を含み、Aはチタン(Ti)およびタングステン(W)の一つであり、xは1.0より小さい第一の層110と、第一の層110に接着された第二の層114であって、窒化物(AN y )を含み、yは1.0より大きいかまたは等しい第二の層114と、を備える。この複数層電極の第一の層110は、例えば化学量論的TiNまたはWNより強くGSTなどのカルコゲナイド系メモリ材料102に接着することができ、その結果層間剥離を防ぐ。基板116は、ダイオード120、例えばPNPダイオードをメモリ材料102の(下側)表面122に接続するためのダイオード(下側)電極118を内部に備える。 【選択図】図1

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